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41.
为了提高E^2PROM中N管源漏穿通电压,用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明,高能量注入是提高VPT的有效手段,但受到pn结击穿的限制,只适用于低区短沟N管;DDD工艺大幅度高VPT,但pn结击穿电压低于20V,不能应用于高压MOS管;采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。 相似文献
42.
介绍了一种带接口的单片CMOS10位电流型乘法D/A转换器的设计及工作方式。着重阐述逻辑电平转换、控制逻辑的结构设计及其工作方式。在不修调电阻网络的情况下,该D/A转换器在5V、15V下,其线性误差、微分误差、满刻度误差均能达到10位精度 相似文献
43.
本文介绍了1992年IEEE GaAs IC讨论会的概况,并依据这次国际会议所发表的论文,以GaAs、InP集成电路的技术路线为主线,介绍和评述了GaAs基PHEMT,HBT,MESFET以及InP基HEMT、HBT等集成电路的现状与发展。 相似文献
44.
基于MSP430F413 MCU的IC卡煤气表的设计与实现 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了以TI公司MSP430系列MCU为基础的IC卡煤气表的设计思想,给出了总体设计,硬件电路设计,软件流程设计及主要模块的编程框架,讨论了低功耗问题。同时,对IC卡煤气表设计中一些应注意的问题也进行了简要的阐述。 相似文献
45.
对半导体器件封装的气密性失效进行了研究。发现,柯伐镀金盖板遭致电化学腐蚀是导致气密性失效的主要原因。对电解液的形成和电化学腐蚀机理进行了深入的分析。提出了防止腐蚀,提高器件气密可靠性的思路和方法。 相似文献
46.
分析了UART核的结构和智能卡的传输协议,提出一种基于UART核的智能卡接口IP核的设计。该设计以成熟的UART核为基础,无需编写异步串口的时序与接口逻辑,仪在串口核中增加收发缓冲器和协议处理等模块,减少了工作量并缩短了开发周期。最后对所设计的IP核进行仿真和实际测试,结果表明该IP核设计正确,运行稳定,适合在多卡系统中应用。 相似文献
47.
对于集成电路设计、生产过程中的多目标、多约束统计优化问题,本文提出了“合格率足够高”的优化宗旨,并从概率论的基本原理出发,结合集成电路的特点,导出了一种合格率的近似表述方法,提出的变权重Monte Carlo法编程简便,效率高。采用这些优化策略设计的集成电路合格率优化系统取得了比较好的结果。 相似文献
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